半導(dǎo)體晶圓作為芯片制造的基石，其質(zhì)量直接決定芯片性能與可靠性。在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓需經(jīng)歷400至800個(gè)工藝步驟，耗時(shí)1至2個(gè)月。任何早期缺陷若未被及時(shí)檢出，將導(dǎo)致后續(xù)工藝的無效投入，因此晶圓檢測(cè)成為保障良率的核心環(huán)節(jié)。 一、檢測(cè)技術(shù)的分類與應(yīng)用場(chǎng)景 1. 量測(cè)與缺陷檢測(cè)的協(xié)同體系 量測(cè)技術(shù)通過光學(xué)、電子束等手段，對(duì)晶圓尺寸、薄膜厚度、電路圖案線寬等參數(shù)進(jìn)行精密測(cè)量，確保工藝精度符合設(shè)計(jì)要求。例如，橢偏儀可測(cè)量薄膜厚度，CD-SEM（臨界尺寸掃描電...
2025-07-09 17:33:49
